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李国维 李珊珊 | 2010年06月21日 星期一 19:11 PM

台湾晶圆代工大厂联电周一表示,将与日本尔必达和台湾力成展开技术合作,针对28奈米的先进制程,进行3D积体电路(IC)的整合开发,以降低成本、增加产品竞争力。

随着轻薄型笔电、多功能智慧型手机等消费性电子产品日新月异,晶片设计厂商希望把更多的功能放在小小的晶片中, 因此,发展体积更小、耗能更低的晶片,成了业者重要挑战。

联电执行孙世伟说:"这是为了新的应用,且我们希望看到三方合作产生综效。"

联电表示,将自2012年开始导入28奈米制程。不过,这三家公司并未透露此合作方案的财务细节。

据联电发布的新闻稿,这项合作将会运用尔必达的动态随机存取记忆体(DRAM)技术,力成的封装技术,以及联电的先进逻辑技术,共同开发Logic+DRAM的3D IC完整解决方案,大幅增加数据传输的速率并且减少功率消耗。

联电上周表示,第二季营收将因汇兑收益较预期为佳,且第三季产能预计仍将供不应求。

联电今日收盘小涨0.67%至15.05台币;力成上扬1.16%至96.20台币,但涨幅均逊于台湾大盘指数。TWII的1.90%。

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